可控硅测试仪

可控硅测试仪主要技术参数：  
触发输出：六路双脉冲列  
脉冲宽度：>1.6ms  
脉冲峰值：>800mA  
各项脉冲不均匀度：≤1°  
移相范围：0-170°  
输入控制电压：DC0～10V或电位器  
输入控制电流：DC4～20mA  
脉冲封锁信号：>5V  
外形尺寸：200x192X60mm  
整机重量：1.0kg  
可控硅测试仪适用于三相桥式半控、三相桥式全控或带平衡电抗器的双反星形可控整流电路。也适用于可控硅反并联式三相交流调压线路（如用于电加热装置等）。  
可控硅调控器主要技术参数：  
触发输出：宽脉冲列  
脉冲宽度：180°-α  
脉冲峰值：>500mA  
脉冲列调制频率：10KHz  
移相范围：0-170°  
调节特性：恒流、恒压精度1%  
反馈信号输入  
反馈电压：直流15V，内阻6KΩ。  
交流110V，内阻50KΩ。  
反馈电流：75mV分流器，内阻1Ω。  
交流110mA，内阻1Ω。  
输入控制信号：DC0-10V或电位器  
外形尺寸：175X143X60mm  
整机重量：0.8kg  
可控硅调控器适用于单相全波、单相半控桥整流电路和可控硅反并联(或双向可控硅)的单向交流调压电路。
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